高可靠性和自行設計的 D2PAK (TO-263) SiC 二極管

簡短的介紹：

封裝結構：D2PAK (TO-263)

簡介：雲儀D2PAK（TO-263）SiC二極管，採用碳化矽材料製成，導熱係數高，可有效提高功率密度。SiC二極管的高擊穿場強提高了耐壓並減小了尺寸，高電子擊穿場強提高了半導體功率器件的擊穿電壓。同時，由於電子擊穿場強的增加，在提高雜質穿透密度的情況下，可以降低SiC二極管功率器件漂移區的帶寬，從而使功率器件尺寸減小可以減少。

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雲儀D2PAK（TO-263）碳化矽二極管的優勢：

1.低電感

2.具有競爭力的成本和高質量。

3.生產效率高，交貨期短。

4.體積小，有助於優化電路板空間

芯片製作步驟：

1. 機械印刷（超精密自動晶圓印刷）

2. 自動首蝕（自動蝕刻設備，CPK>1.67）

3. 自動極性測試（Precise Polarity Test）

4. 自動裝配（自主研發的自動精密裝配）

5. 焊接（氮氫混合氣真空焊接保護）

6、自動二次蝕刻（超純水自動二次蝕刻）

7、自動塗膠（自動精密塗膠設備實現塗膠均勻、計算精確）

8.自動熱測試（熱測試儀自動選擇）

9、自動測試（多功能測試儀）

產品參數：

零件號	包裹	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRB5650	D2PAK	650	5	60	60	2
ZICRB6650	D2PAK	650	6	60	50	2
Z3D06065G	D2PAK	650	6	70	3（典型值為 0.03）	1.7（1.5 典型值）
ZICRB10650CT	D2PAK	650	10	60	60	1.7
ZICRB10650	D2PAK	650	10	110	100	1.7
Z3D10065G	D2PAK	650	10	115	40（典型值為 0.7）	1.7（典型值為 1.45）
ZICRB20650A	D2PAK	650	20	70	100	1.7
ZICRB101200	D2PAK	1200	10	110	100	1.8
ZICRB12600	D2PAK	600	12	50	150	1.7
ZICRB12650	D2PAK	650	12	50	150	1.7
Z3D30065G	D2PAK	650	30	255	140(4典型)	1.7（1.4 典型值）
Z4D05120G	D2PAK	1200	5	19	200(20典型)	1.8（典型值為 1.65）
Z4D20120G	D2PAK	1200	20	162	200(35典型)	1.8（1.5 典型值）
Z3D20065G	D2PAK	650	20	170	50（典型值為 1.5）	1.7（典型值為 1.45）
Z3D06065L	DFN8×8	650.0	6.0	70.0	3（典型值為 0.03）	1.7（1.5 典型值）