高導熱性 DPAK (TO-252AA) SiC 二極管

簡短的介紹：

封裝結構：DPAK (TO-252AA)

簡介：YUNYI DPAK（TO-252AA）SiC二極管，採用碳化矽材料製成，導熱係數高，傳熱能力強，更有利於提高功率器件的功率密度，因此更適用於在高溫環境下工作。SiC二極管的高擊穿場強提高了耐壓並減小了尺寸，高電子擊穿場強提高了半導體功率器件的擊穿電壓。同時，由於電子擊穿場強的增加，在提高雜質穿透密度的情況下，可以降低SiC二極管功率器件漂移區的帶寬，從而使功率器件尺寸減小可以減少。

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雲儀DPAK（TO-252AA）碳化矽二極管的優點：

1.具有競爭力的成本和高質量

2.生產效率高，交貨期短

3.體積小，有助於優化電路板空間

4、各種自然環境下穩定可靠

5.自主研發低損耗芯片

芯片生產流程：

1. 機械印刷（超精密自動晶圓印刷）

2. 自動首蝕（自動蝕刻設備，CPK>1.67）

3. 自動極性測試（Precise Polarity Test）

4. 自動裝配（自主研發的自動精密裝配）

5. 焊接（氮氫混合氣真空焊接保護）

6、自動二次蝕刻（超純水自動二次蝕刻）

7、自動塗膠（自動精密塗膠設備實現塗膠均勻、計算精確）

8.自動熱測試（熱測試儀自動選擇）

9、自動測試（多功能測試儀）

產品參數：

零件號	包裹	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRD5650	DPAK	650	5	60	60	2
ZICRD6650	DPAK	650	6	60	50	2
Z3D06065E	DPAK	650	6	70	3（典型值為 0.03）	1.7（1.5 典型值）
ZICRD10650CT	DPAK	650	10	60	60	1.7
ZICRD10650	DPAK	650	10	110	100	1.7
ZICRD101200	DPAK	1200	10	110	100	1.8
ZICRD12600	DPAK	600	12	50	150	1.7
ZICRD12650	DPAK	650	12	50	150	1.7
Z3D03065E	DPAK	650	3	46	2（典型值為 0.03）	1.7（1.4 典型值）
Z3D10065E	DPAK	650	10	115	40（典型值為 0.7）	1.7（典型值為 1.45）
Z4D04120E	DPAK	1200	4	46	200(20典型)	1.8（1.5 典型值）
Z4D05120E	DPAK	1200	5	46	200(20典型)	1.8（典型值為 1.65）
Z4D02120E	DPAK	1200	2	44	50(10典型)	1.8（1.5 典型值）
Z4D10120E	DPAK	1200	10	105	200(30典型)	1.8（1.5 典型值）
Z4D08120E	DPAK	1200	8	64	200(35典型)	1.8（1.6典型值）
Z3D10065E2	DPAK	650	10	70（每條腿）	8（0.002 典型值）（每條腿）	1.7（典型值 1.5）（每條腿）