超穩定表面貼裝 PAR® 瞬態電壓抑制器 (TVS) DO-218AB SM8S
DO-218AB SM8S 的優點：
1. 由於採用化學蝕刻法技術，消除了直接切割方式的負面結果。
2. 芯片比同類產品大，反向浪湧能力強。
3. 不同天氣和地區故障率極低
4.通過AEC-Q101標準認可
5、二極管功能優化，受益於PN結的科學保護。
主要特點：
VBR：11.1V 至 52.8V
VWM：10V 至 43V
PPPM (10 x 1000 μs)：6600 瓦
PPPM (10 x 10 000 μs)：5200 瓦
功率：8 瓦
IFSM：700 安
TJ 最大值：175 °C
極性：單向
包裝：DO-218AB
芯片生產流程
1. 自動打印（超精密自動晶圓印刷）
2. 自動首次蝕刻 （自動蝕刻設備，CPK>1.67）
3. 自動極性測試（Precise Polarity Test）
4. 自動裝配（自主研發的自動精密裝配）
5. 焊接（氮氫混合保護
真空焊接）
6. 自動二次蝕刻（超純水自動二次蝕刻）
7. 自動上膠（通過自動精密上膠設備實現均勻上膠和精確計算）
8.自動熱測試（由熱測試儀自動選擇）
9. 自動測試（多功能測試儀）
