高度穩定和可靠的表面貼裝 PAR® 瞬態電壓抑制器 (TVS) DO-218AB SM5S
DO-218AB SM5S 的優點：
1、芯片內部採用國際領先的化學蝕刻法技術加工，不受切削應力帶來的負面影響。
2. DO-218AB芯片比競爭對手大，反向浪湧能力強。
3.芯片邊緣漏電流低
4. TJ = 175 °C 能力適合高可靠性和汽車要求
5. 低正向壓降
6. 符合 ISO7637-2 浪湧規範（因測試條件而異）
7. 符合 MSL 1 級，符合 J-STD-020，LF 最大峰值為 245 °C
芯片生產步驟
1. 機械印刷（極好的-精密自動晶圓印刷）
2. 自動首次蝕刻 （自動蝕刻設備，CPK>1.67）
3. 自動極性測試（Precise Polarity Test）
4. 自動裝配（自主研發的自動精密裝配）
5. 焊接（氮氫混合保護
真空焊接）
6. 自動二次蝕刻（超純水自動二次蝕刻）
7. 自動上膠（通過自動精密上膠設備實現均勻上膠和精確計算）
8.自動熱測試（由熱測試儀自動選擇）
9. 自動測試（多功能測試儀）
